光机电一体化

"""针对目前GaN功率器件因为“用不好”而影响器件应用推广“最后一公里”的问题，研究并突破第三代半导体GaN功率器件应用在高频开关电源中的关键技术，大幅度提升开关电源工作频率、转换效率和功率密度，实现其小型化和轻量化，并进行产业化推广应用。 技术指标要求： 1、动态Rdson测试曲线有效测试时间：≤300ns 2、工作频率（KHz）：300-350 3、功率密度（W/cm3）1.1-1.5 4、转换效率（%）:92-95"